Voir la notice de l'article provenant de la source Math-Net.Ru
[1] B. G. Varshal, O. V. Mazurin, “O roli kompleksov v okisnykh stekloobrazuyuschikh rasplavakh”, Fiz. i khimiya stekla, 1 (1975), 80
[2] S. P. Dolin, Yu. N. Kondratev, B. F. Schegolev, “Elektronnoe stroenie SiO$^4_4$ i Si(OH)$_4$”, Fiz. i khimiya stekla, 1:1 (1975), 11
[3] Ya. S. Bobovich, N. I. Grebenschikova, M. Ya. Schenter, “Spektry kombinatsionnogo rasseyaniya i sostoyanie sulfida myshyaka v slozhnykh silikatnykh steklakh”, Fiz. i khimiya stekla, 12:1 (1986), 69 | MR
[4] E. M. Kern, I. Ya. Chepnyavskii, L. R. Zyatkova, I. A. Vatolin, “Rentgenograficheskoe issledovanie struktury magnievosilikatnogo rasplava”, Fiz. i khimiya stekla, 12:1 (1986), 14
[5] M. G. Voronkov, “O mezhatomnykh rasstoyaniyakh i prirode svyazei v silikatakh”, DAN SSSR, 138:1 (1961), 106–108
[6] S. A. Akopyan, Yu. S. Chilingaryan, “Novyi fenomenologicheskii podkhod k statisticheskomu opisaniyu stekloobraznogo sostoyaniya”, Uch. zap. EGU, 1973, no. 2, 71
[7] S. A. Akopyan, Yu. S. Chilingaryan, “Steklogennost individualnykh veschestv i sistem i fenomenologicheskoe statisticheskoe opisanie stekloobraznogo sostoyaniya”, Sb. statei, posvyaschennykh 20-letiyu so dnya obrazovaniya fizfaka EGU, v. 5, 1985, 114
[8] S. A. Akopyan, A. E. Rustamyan, Yu. S. Chilingaryan, “O ponyatii strukturnykh edinits pri stekloobrazovanii i nekotorye teplofizicheskie yavleniya”, Uch. zap. EGU, 1985, no. 3, 92