Geodesic
Tin arsenide – a new intermetallic semiconductor
Doklady Akademii Nauk, Tome 163 (1965) no. 3, pp. 663-666 Cet article a éte moissonné depuis la source Math-Net.Ru

Voir la notice de l'article

@article{DAN_1965_163_3_a29,
     author = {Ya. A. Ugai and Yu. P. Zaval'skii and V. A. Ugai and S. A. Mostovaya and L. A. Bityutskaya},
     title = {Tin arsenide~{\textendash} a new intermetallic semiconductor},
     journal = {Doklady Akademii Nauk},
     pages = {663--666},
     year = {1965},
     volume = {163},
     number = {3},
     language = {ru},
     url = {http://geodesic.mathdoc.fr/item/DAN_1965_163_3_a29/}
}
TY  - JOUR
AU  - Ya. A. Ugai
AU  - Yu. P. Zaval'skii
AU  - V. A. Ugai
AU  - S. A. Mostovaya
AU  - L. A. Bityutskaya
TI  - Tin arsenide – a new intermetallic semiconductor
JO  - Doklady Akademii Nauk
PY  - 1965
SP  - 663
EP  - 666
VL  - 163
IS  - 3
UR  - http://geodesic.mathdoc.fr/item/DAN_1965_163_3_a29/
LA  - ru
ID  - DAN_1965_163_3_a29
ER  - 
%0 Journal Article
%A Ya. A. Ugai
%A Yu. P. Zaval'skii
%A V. A. Ugai
%A S. A. Mostovaya
%A L. A. Bityutskaya
%T Tin arsenide – a new intermetallic semiconductor
%J Doklady Akademii Nauk
%D 1965
%P 663-666
%V 163
%N 3
%U http://geodesic.mathdoc.fr/item/DAN_1965_163_3_a29/
%G ru
%F DAN_1965_163_3_a29
Ya. A. Ugai; Yu. P. Zaval'skii; V. A. Ugai; S. A. Mostovaya; L. A. Bityutskaya. Tin arsenide – a new intermetallic semiconductor. Doklady Akademii Nauk, Tome 163 (1965) no. 3, pp. 663-666. http://geodesic.mathdoc.fr/item/DAN_1965_163_3_a29/