Modélisation du transport des charges électriques dans les semiconducteurs
ESAIM. Proceedings, Tome 11 (2002), pp. 141-152.

Voir la notice de l'article provenant de la source EDP Sciences

La physique des semiconducteurs est un domaine très riche en problèmes de modélisation et de mathématiques. Selon l´échelle considérée : microscopique, mésoscopique ou macroscopique, la modélisation du transport des charges requiert une description quantique, cinétique ou fluide. Les différents systèmes d´équations aux dérivées partielles correspondant sont décrit dans cet article. L´analyse asymptotique permet en outre de comprendre les liens profonds qui les lient. En particulier le passage des équations de la mécanique quantique aux équations cinétiques grâce aux mesures de Wigner est détaillé.
DOI : 10.1051/proc:2002035

Frédéric Poupaud 1

1 Laboratoire J.A. Dieudonné (UMR CNRS 6621) Université de Nice, Parc Valrose B.P. 71 F-06108 Nice Cedex 02, France
@article{EP_2002_11_a8,
     author = {Fr\'ed\'eric Poupaud},
     title = {Mod\'elisation du transport des charges \'electriques dans les semiconducteurs},
     journal = {ESAIM. Proceedings},
     pages = {141--152},
     publisher = {mathdoc},
     volume = {11},
     year = {2002},
     doi = {10.1051/proc:2002035},
     language = {fr},
     url = {http://geodesic.mathdoc.fr/articles/10.1051/proc:2002035/}
}
TY  - JOUR
AU  - Frédéric Poupaud
TI  - Modélisation du transport des charges électriques dans les semiconducteurs
JO  - ESAIM. Proceedings
PY  - 2002
SP  - 141
EP  - 152
VL  - 11
PB  - mathdoc
UR  - http://geodesic.mathdoc.fr/articles/10.1051/proc:2002035/
DO  - 10.1051/proc:2002035
LA  - fr
ID  - EP_2002_11_a8
ER  - 
%0 Journal Article
%A Frédéric Poupaud
%T Modélisation du transport des charges électriques dans les semiconducteurs
%J ESAIM. Proceedings
%D 2002
%P 141-152
%V 11
%I mathdoc
%U http://geodesic.mathdoc.fr/articles/10.1051/proc:2002035/
%R 10.1051/proc:2002035
%G fr
%F EP_2002_11_a8
Frédéric Poupaud. Modélisation du transport des charges électriques dans les semiconducteurs. ESAIM. Proceedings, Tome 11 (2002), pp. 141-152. doi : 10.1051/proc:2002035. http://geodesic.mathdoc.fr/articles/10.1051/proc:2002035/

Cité par Sources :