TY  - JOUR
AU  - M. M. Myshlyaev
AU  - V. I. Nikitenko
TI  - High temperature creep of single silicon crystals
JO  - Doklady Akademii Nauk
PY  - 1969
SP  - 549
EP  - 551
VL  - 187
IS  - 3
PB  - mathdoc
UR  - http://geodesic.mathdoc.fr/item/DAN_1969_187_3_a18/
LA  - ru
ID  - DAN_1969_187_3_a18
ER  -